三星计划在2024年第三季度向英伟达供应HBM3e芯片,导致该公司当前内存生产的产能将提高。

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三星打算将2024年第二季度向英伟达交付HBM3e芯片,这将有助于提高 DDR5内存的价格。

7 月 16 日消息,三星本月初否认了 HBM3e 内存芯片通过英伟达认证测试的消息,不过集邦咨询最新消息称三星供应链已经转动起来,有望在今年第 3 季度开始向英伟达出货。

援引该报道,在三星的规划中,至少转移 20-30% 的产能到 HBM 上,因此可能导致 DRAM 供应进一步紧张,第三季度的 DDR5 价格可能会上涨。

援引该报道,在三星的规划中,至少转移 20-30% 的产能到 HBM 上,因此可能导致 DRAM 供应进一步紧张,第三季度的 DDR5 价格可能会上涨。

目前,公司正积极寻找新的供应商和转产路径以支持HBM的生产和市场发展,并正在考虑新的渠道扩张,大多数分析机构表示,三星这方面的进展并不快,而英特尔等大型DRAM厂商已经在半年内完成了上述转型计划。

制造商们表示他们还在努力降低DRAM的生产成本,以应对智能手机的性能需求,虽然 Samsung尚未明确透露这一政策的细节,但有分析师猜测该公司可能会采取一系列措施来降低成本,例如引入自动化技术,提高装配效率等。

如果按照预期,三星HBM项目能够在第三季度正式开始出货,那么秋季的DDR5价格将出现明显上升,预计AMD将占据大约一半市场份额,Samsung则会继续控制其在全球 DRAM市场上的一席之地

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