网友11月24日报道，由于厂商减产效应逐渐显现，以及特定应用市场需求持续旺盛，2023年第四季度DRAM和NAND闪存价格呈现整体上涨态势，预计将持续到明年第一季度。
据集邦咨询分析，2023年第四季度移动DRAM合同价格预计增长13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash合同价格预计增长约10-15%，上涨趋势将持续至2024年第一季度。
移动DRAM:
据国外科技媒体WccFtech报道，2024年手机一个明显的变化就是终端AI的崛起，包括骁龙8 Gen 3、天机9300、Exynos 2400等各种芯片组都加入了AI元素。
要在本地运行这些AI元素，需要有更大的内存空。McGree本月发布的报告部分内容如下:
目前，典型的智能手机配备8GB内存。
手机运行带图像生成功能的终端AI需要12GB左右的内存。
一个带数字AI助手功能的设备需要20GB左右的内存。
未来，如果消费者想在手机终端本地运行AI模型，大容量内存必不可少。目前国内手机厂商不断推高手机内存容量，包括小米红米K60极速版、一加Ace 2 Pro、realme Real GT5在内的部分手机已经提供了24GB版本。
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DDR5的市场需求大幅增长。
业内专家预测，在价格下降和公司盈利能力持续改善的推动下，DDR5市场的需求将大幅增长。
作为一款高附加值的DRAM，DDR5继续受到各大厂商的青睐。美光最近宣布推出基于1β技术的DDR5内存，速度达到7200 MT/s，标志着向数据中心和PC市场的过渡。
最近美光也推出了5GB DDR32 RDIMM内存，配128Gb芯片。该系列速度高达8000 MT/s，适用于服务器和工作站。这些系列采用了美光的1β技术，可以提高能效24%，减少延迟16%。此外，美光计划在2024年推出速度为4800 mt/s、5600 mt/s和6400 mt/s的型号，未来推出的型号速度将达到8000 mt/s..
至于三星，有消息称将扩建DDR5生产线。鉴于DDR5的高价值及其在PC和服务器市场的采用，今年被认为是“大规模采用DDR5的一年”。
改善HBM供应
与DDR5类似，HBM作为高附加值的DRAM，今年备受关注。在人工智能趋势的推动下，HBM市场需求激增，各供应商不断扩大产能。
最新报道称，三星电子斥资105亿韩元收购了三星在韩国天安展示的部分工厂和设备，以扩大HBM产能。三星电子还计划再投资7000亿至1万亿韩元建设新的包装线。
美光也在积极准备HBM生产，11月6日在台中开了新厂。美光表示，新工厂将整合先进的测试和包装功能，并将努力批量生产HBM3E和其他产品。这一扩展旨在满足人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等各种应用不断增长的需求。
美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)透露，该公司计划在2024年初开始大批量出货HBM3E。美光的HBM3E技术目前正在接受英伟达的认证。最初的HBM3E产品将采用8-Hi堆栈设计，容量为24GB，带宽超过1.2 TB/s..
