在半导体领域，5nm工艺之后，是什么工艺？按照目前的时间线，应该是4nm，然后明年量产3nm。
其实4nm是5nm的进一步提升。优势在于性能和功耗的持续优化。同时，设计彼此兼容，客户可以以几乎相同的成本获得新的流程。
而3nm才是5nm真正的迭代升级。目前，TSMC和三星正在准备先进的工艺。
昨晚，据国外媒体报道，三星宣布自己的3nm工艺技术已经正式铺开，采用GAA架构(环绕栅晶体管)，性能优于TSMC的3nm FinFET架构(鳍式场效应晶体管)。
三星表示，3nm工艺流程图的进度是与新思科技合作完成的。在技术性能上，GAA基晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，可以满足某些栅宽的要求。
比如在相同尺寸结构下，GAA的沟道控制能力加强，从而为进一步小型化提供了可能。
其实这方面是有争议的。3nm还没有量产安装，GAA不一定能绝对超越FinFET。毕竟只是三星一方面的说法，没有人会说自己的瓜不甜。
从时间上来说，由于影片已经流片，距离三星3nm量产已经不远，而TSMC定于今年启动3nm的风险试产，2022年投入量产。
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