小米12 Pro目前已经开售。除了堆叠材料，它还实现了120W的单电池解决方案，配备了自研的P1充电芯片。
2月8日，上海南芯半导体科技发布声明，称最近网络上出现了很多关于小米P1汹涌的不实传言，与事实完全不符。现在我们发表以下声明:
1.小米的P1芯片由小米设计，由南芯半导体(内部代码SC8561)制造。该芯片具有超高压4:1充电架构，实现120W单节充电，支持1:1、2:1、4:1转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线120W、无线50W、无线反向充电等充电功能。
2.南芯半导体2021年9月发布的南芯SC8571是一款超高压4:2充电架构，可实现120W双芯充电。支持超高功率充电需求的4:2和2:2模式。
3.小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571在拓扑结构上完全不同，是两个设计不同、功能不同、定位不同的充电芯片。
根据上述回应，小米澎湃P1芯片完全由小米设计，然后由南芯半导体制造。
根据小米官方介绍，澎湃P1作为业内首款谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的4:1超高效率架构。谐振拓扑效率高达97.5%，非谐振拓扑效率为96.8%，热损耗骤降30%。
与此同时，澎湃P1也是小米中充电效率最高的4:1充电芯片，可实现0.83 W/mm的超高功率密度，LDMOS达到了业界领先的1.18Mωmm的超低RSP，每澎湃P1在出厂前需要通过2500多项测试，这比传统的电荷泵要高得多。
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