近日，TSMC在2022技术研讨会上公布了未来先进制造工艺路线。
根据TSMC的技术路线图，3nm(N3)将在今年量产，作为迭代，3nm将比过渡的4nm持续更长时间，随后是N3E、N3P和N3X。
同时披露了2nm(N2)的一些信息，采用纳米片晶体管取代了使用多年的FinFET (FinFET)。
所谓的纳米片晶体管通常被业界认为是TSMC版的GAAFET(环绕栅晶体管)。它的微结构原理类似，但名字和三星的不一样。
数据显示，与3nm相比，2nm工艺在相同功耗下速度提升10-15%，相同速度下功耗降低25-30%。
看起来功耗改善的不错，但是注意N2的晶体管密度相比N3E只增加了10%，非常令人惊讶。如果按照新一代工艺，密度至少提高100%，不知道TSMC会怎么想。
TSMC表示，N2不仅拥有移动处理器的标准工艺，还拥有高性能计算和小芯片的集成方案，将于2025年量产。
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