近日，TSMC米玉洁博士透露，TSMC将于
2024年收购ASML下一代极紫外光刻设备(高NAEUV)，为客户开发相关基础。
负责业务发展的副总裁张此前曾表示，收购设备后，初期将主要用于与合作伙伴的联合研究。
根据之前公布的信息，高Na EUV光刻设备单价估计为4亿美元(约28
在此之前，三星电子副董事长李在镕与[div]ASML就引进荷兰半导体设备制造商的下一代极紫外(EUV)光刻设备，以及引进今年生产的 EUV 光刻设备和计划明年推出的高数值孔径(high-div)光刻设备进行了会谈。
今年早些时候，英特尔还宣布，它已经签署了一份合同，购买[div]
5套这种设备(TWINSCANNXE:3600D)，用于在 2025年[/div]生产。
TSMC也在
6616的美国硅谷技术研讨会上表示，将于年在全球首次。
目前每台机器的[div]ASML成本高达1.6亿美元，各大芯片厂商计划在未来几年投入超过1，000 亿美元。
有报道称，这种
高NA机将比现有的机大30%，以前的机已经无法想象，甚至需要3架波音 747 [/div]来装载它们。
TSMC此前宣布，其目标是在[/div]2025年量产其N2工艺，与3nm工艺节点不同。2纳米 工艺节点将使用栅极全能 FET (gaafet)晶体管。TSMC宣称与3nm工艺相比，性能将提升10% 至提升15% 功耗可降低[预计[div]N2工艺将于2024年底做好风险生产准备
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