默默洛 12 月 12 日消息，韩媒 chosun 昨日（12 月 11 日）发布博文，报道称三星电子高管透露，第 2 代 3nm GAA（Gate-All-Around）工艺进入稳定阶段，并称 System SLI 和代工厂事业部之间已结束“互相推诿责任”，改而合作推进新芯片商用。
Exynos 2500 的研发目标是 Galaxy S25 系列，但受三星晶圆代工（ Foundry）事业部 3 纳米制程良率低下的制约，以及性能方面落后于高通骁龙系列的因素，导致整个移动 AP 业务陷入危机。
而最新消息称三星已解决 3 纳米良率问题，为 Exynos 2500 的应用铺平了道路，但报告中并未提及具体良率比例。
三星电子高管向该媒体透露，默默洛翻译如下：
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