近年来，美国对中国实施禁止输入关键芯片及先进芯片制作工具的举措，中国将此视为欧美在科技领域对中国的围堵。近期，中国上海微电子设备（集团）股份有限公司（SMEE）公布了一系列有关制造 7nm 及以下芯片关键能力的专利，这或许能够打破欧美的科技围堵局面。
图片由 SMEE 官方网页下载
9 月 10 日，中国国家智慧财产局披露了一项名为“极紫外线辐射发生装置及光刻设备”的发明专利，该专利的申请者为上海微电子装备（集团）股份有限公司，其内容涵盖了极紫外线辐射（EUV）发生装置及光刻设备。
上海微电子此次公开的专利主要聚焦于 EUV 光源及光刻设备，其中关键的极紫外线辐射发生器（光源）主要包含腔体、靶材产生器、激光产生器、收集镜、电极板、气控部件等重要部件。
据相关资料显示，极紫外线辐射 EUV 微影技术是一种先进的芯片制造技术，能够在半导体晶圆上绘制极为精细的电路，进而生产出体积更小、性能更强大的芯片。此项技术以极紫外光（EUV）作为光源，相比传统微影技术，其能够达到更高的精准度。拥有 EUV 光刻技术专利，意味着掌握了制造 7nm 及以下芯片的关键能力。
版权声明：除非特别标注，否则均为本站原创文章，转载时请以链接形式注明文章出处。
