苹果计划在新设备上使用QLC NAND存储技术，限制存储容量至2TB。
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7月25日消息，集邦咨询7月22日发布市场研究报告，透露苹果正计划使用QLC NAND闪存，最早将于2026年用于iPhone产品，使其存储极限达到2TB。
QLC和薄层色谱
TLC的全称是Triple Level Cell，进一步增加了存储密度，每个存储单元存储三位信息。
TLC NAND的成本甚至低于MLC NAND，这使得它成为消费电子产品和主流SSD的一个有吸引力的选择。
QLC的全称是Quad-level cells，每个单元可以存储4位数据。与薄层色谱法相比，QLC的贮存密度提高了33%。
QLC NAND通常用于入门级消费类固态硬盘和大容量存储应用。QLC NAND的耐久性最低，通常P/E周期(编程擦除周期)在100到1000之间。
制造商实施高级纠错机制、预留配置(OP)和损耗均衡来保持可靠性。
虽然QLC NAND可能不适合写密集型工作负载，但它为日常使用提供了足够的存储容量，使固态硬盘能够为更广泛的用户所用。
早就有消息称苹果正在推进QLC NAND。
最早曝光的信息称，苹果计划在iPhone 14系列上采用QLC NAND。今年1月，有消息称苹果可能会在iPhone 16 Pro系列上采用QLC NAND。
集邦咨询估计，苹果正在加速更换QLC NAND，从而将内置存储限制提高到2TB。
但需要注意的是，虽然QLC的密度比薄层色谱高，但速度比薄层色谱慢。而且单个单元的单元多，耐久性差，也就是说比TLC能处理的写周期少。
认识大语言模型
苹果还在探索如何使用NAND闪存代替内存来存储大型语言模型(LLM)，以便在本地运行更多的
AI任务，因此过渡到QLC NAND可能有助于提高苹果智能的性能。
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