三星在华城 17 号产能产线批量生产了 HBM3 内存，平泽 P4 转向 DRAM。这是三星公司全球首条采用自家设计工艺的 DRAM 制程线，有助于提升其性能和成本竞争力。
为了弥补HBM供应带来的通用 DRAM 内存供应短缺的问题，平泽工厂也将在其现有备件生产线基础上转为DRAM 专用生产线，这将进一步扩大三星在 DRAM 产能上的优势。
业内专家表示：“目前，P4 是三星（韩国）国内业务中的唯一一个可以增加DRAM 产能的空间，他们已经在该领域制定了计划，将在这里投入更多的资源来生产DRAM。”
韩国半导体行业协会表示：“预计三星会在下一季度完成增加HBM产能的动作。”据知情人士透露，三星打算投资 $40亿美元用于研发和制造 DRAM 和外挂式存储器等新型存储器产品，以应对未来的增长需求。
业界分析师也认为， Samsung 平泽工厂的RAM 产线还在稳步发展，目前，三星正在评估它的潜力，特别是在提高自身DRAM 系列技术性能的同时，考虑将其迁移到外部存储器基地的开发上。
整体来看，三星在提升自家存储设备产能方面的努力正逐步显现，而且该公司也在积极寻求与其他公司进行合作，共同推动存储产业的发展。
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