九峰山实验室成功研发全球首款8英寸硅薄膜铌酸锂光电集成晶片，有望推动半导体产业发展。这一创新突破将进一步提升中国在国际半导体领域的影响力和竞争力。
九峰山实验室近日宣布，全球首款8英寸硅薄膜铌酸锂光电集成晶片在九峰山实验室下线。
据了解，硅薄膜铌酸锂光电集成晶片是目前国际上最先进的硅基化合物光电集成技术。该成果可实现超低损耗、超高带宽高端光学芯片的规模化制造，是目前世界上综合性能最好的光电集成芯片。
铌酸锂是一种具有优异的光电/压电/非线性物理性能的材料，在滤波器、光通信、量子通信、航空空航天等领域发挥着重要作用。但铌酸锂材料易碎，大尺寸铌酸锂晶片制备工艺难度大，铌酸锂的微纳加工制备工艺一直被视为挑战。
九峰山实验室技术中心通过将8英寸SOI硅片键合到8英寸铌酸锂硅片上，并将光电收发功能集成在单个芯片上，成功解决了这一问题。
九峰山实验室表示，该成果为薄膜铌酸锂光电芯片和超大规模光子集成的研发提供了极具前景的产业化技术路线，为高性能光通信应用场景提供了工艺解决方案。
未来，随着基于铌酸锂的光源、光调制、光探测等重要器件的实现，铌酸锂光子集成芯片有望成为高速、大容量、低能耗的光信息处理的重要平台，在光量子计算、大数据中心、人工智能、光传感激光雷达等领域展现应用价值。
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