韩国媒体报道，尽管三星正在加大3nm芯片的研发力度，但由于工艺技术还不够成熟，良率仅达到60%，这意味着每生产出一颗3nm芯片，就需要投入更多的人力和资源进行调试。这对于全球半导体产业来说是一个巨大的挑战。
据韩国媒体DealSite报道，三星电子3nm制程良率堪忧，目前仍徘徊在50%左右，尚未达到60%。
自2022年6月三星宣布量产3nm技术以来，关于其良品率的报道不一。2023年5月，三星宣称其3nm的良率可以达到60~70%。7月，Hi Investment & Securities还声称其3nm的收益率达到60%，但在10月，另一家韩国媒体Chosunbiz声称其3nm的收益率只有50%左右，并在今年1月补充。
三星3nm良率低的主要问题是其GAA工艺还不够稳定，直接影响良率的提升。
据悉，GAA(Gate-All-Around FET)是一种全能栅晶体管，被广泛认为是鳍结构的下一代继承者。它实现了栅极和沟道之间的四面包围，每一面都有接触，所以与沟道的接触面积更大，所以可以实现比FinFET更好的开关控制，解决大部分可能的漏电流，GAA的沟道控制能力更强，可以进一步小型化。
此外，GAA的设计灵活性非常有利于设计技术的协同优化，有助于实现更好的PPA优势。
目前主流的FinFET工艺(鳍式场效应晶体管)在工艺缩减到5nm后，基本达到了物理极限。鳍距太近，漏电重现，物理材料的限制，让3D FinFET晶体管难以为继。
可以说GAA工艺取代FinFET工艺是一个必然的过程。
因此，为了夺回“代工份额第一”的称号，三星在GAA工艺上下了大赌注，不仅率先投产，还声称三星的3nmGAA技术使用了宽沟道纳米片，可以提供比使用窄沟道纳米线的GAA技术更高的性能和能耗比。
在3nmGAA技术上，三星调整了纳米晶体管的沟道宽度，以优化功耗和性能。相比其5nm工艺，第一代3nmGAA工艺可降低功耗45%，提升性能23%，减少芯片面积16%。第二代3nmGAA技术功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。
但是想象很美好，现实却很残酷。看来GAA工艺面临的更复杂的问题也不是那么好解决的。宣布2022年量产3nmGAA的三星，直到今天也没能解决良品率问题，甚至在之前的报道中影响了自家Exynos 2500芯片的生产。
另一方面，其最大的竞争对手台积电仍然稳步改进其3nm节点的FinFET工艺，凭借良好的性能和成熟的工艺，不仅赢得了苹果的订单，也为其GAA工艺赢得了更多的时间。
据介绍，台积电在2nm工艺研发方面取得重大突破，将于2025年切入GAA技术并实现量产。
只能说留给三星的时间不多了。如果今年还不能提高3nmGAA的良率，错过高通和联发科的3nm芯片代工订单，那只能提前祈祷，凭借在GAA工艺上积累的经验，能在2nm节点与台积电决战。
