近日，台媒科技新报报道称，高通下一代旗舰3nm处理器骁龙8 Gen4仍将由台积电独家代工，而不是此前传闻的台积电和三星的双代工模式。
据科技消息，由于三星3nm产能扩张计划保守，良品率不理想，高通已经正式取消三星明年代工骁龙8 Gen4的计划。
根据今年9月高通泄露的信息，骁龙8 Gen4将基于台积电N3E工艺打造，未来可能会考虑三星SF2P工艺。此前，博主@Revegnus也表达了类似的观点，并表示双代工可能从骁龙8 Gen5开始，骁龙8 Gen4将全部采用台积电N3E工艺生产。
可以说3nm上，三星又起了个大早，赶了个晚集。
早在去年6月，三星就宣布基于3nm gate-all-around gate (GAA)工艺节点的芯片已经开始生产，这标志着三星首次将创新的GAA架构用于晶体管技术，也是当时第一家开始量产3nm工艺的晶圆代工厂。
第二代3nm工艺3GAP(SF3)将在第一代3nm SF3E的基础上，采用第二代MBCFET架构进行优化，预计2024年开始量产。
三星曾表示，3nm GAA技术使用宽沟道纳米片，与使用窄沟道纳米线的GAA技术相比，可以提供更高的性能和能耗比。在3纳米GAA技术上，三星可以调整纳米晶体管的沟道宽度，优化功耗和性能，从而满足客户的多样化需求。此外，GAA的设计灵活性非常有利于设计技术协同优化(DTCO ),有助于实现更好的PPA优势。
与5nm工艺相比，第一代3nm工艺可降低功耗45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。第二代3纳米工艺功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。
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