台积电3nm天玑芯片成功流片:2024年量产

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联发科此前宣布,新旗舰SoC将于下半年推出,它基于TSMC的3纳米工艺。没有小核心设计,直接对标苹果A系列的性能和功耗。

在今年7月的季度财报会议上,TSMC CEO魏哲佳透露,去年底开始量产的N3 3nm工艺已经完全通过验证,性能和良率都达到了预期目标。

TSMC的第一代3nm工艺是N3B,技术非常先进复杂。使用了多达25个EUV光刻层,以及双重曝光,以实现更高的晶体管密度,这也使得价格更加昂贵。

第二代是N3E,EUV光刻层数减少到19层,不需要二次曝光会便宜很多,更适合主流产品。

此外,苹果的iPhone 15系列将于下周发布,新款A17处理器也将出现在本次发布会上。这将是世界上第一个TSMC 3纳米工艺处理器,其性能将为后续产品树立一个非常基准。

台积电3nm天玑芯片成功流片:2024年量产

台积电3nm天玑芯片成功流片:2024年量产

标签: 积电 光刻 工艺

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